|
new_man, тут вот какое дело. Могу поискать (но не хотелось бы, поверьте на слово) точную цитату какого-то очень известного тамошнего спеца (кажется, Боб Добкин) о том, что принципиальная схема чипа весьма приблизительно отражает действительное его устройство. Например, в интегральной схемотехнике есть такое понятие как "величина транзистора". Нарисованы два транзистора, мы полагаем, что они одинаковы, но на самом деле один из них по площади в несколько раз больше другого. Т.е. плотность тока другая, другое падение на переходах - так, например, масштабируются токовые зеркала, формируются источники опорного напряжения и т.п. Не резисторами, как в обычной схемотехнике, а именно величиной транзисторов. Если попробовать перевести это в "наш мир", то зеркала можно масштабировать разным кол-вом параллельных транзисторов - можете попробовать в симуляторе. Но на схемах из даташитов это никак не отображено. (Впрочем, в TL431 в зеркалах нарисованы резисторы, вижу). Плюс, многоэмиттерные, многоколлекторные транзисторы и ещё много всякого такого. Если бы это было возможно, то существовали бы "самопальные" уточнённые модели микросхем, но такого нет, по крайней мере, мне это никогда не попадалось. В отличие от ламп, транзисторов и т.п. Забейте.
|
Страниц: [1] 
Транзисторы в микросхемах: спайс-модели. (Прочитано 240 раз)
