DDD писал(а) 11.01.2018 :: 10:54:11:Во сколько раз падает "бета" по сравнению с прямым включением?
Нет такой зависимости - "во сколько". Для обычных транзисторов где-то пару десятков и далее вниз до неизмеряемой обычными приборами величины. Хотя, прямой Hfe может быть при этом и 50, и 2000.
Цитата:ищу для фузза низко-гейновую замену транзисторам BC850C и BC860C, с коими давно и успешно дружу.
С другой стороны, неохота плодить номенклатуру, и вот я и подумал, что эти же самые BC850C и BC860C, будучи включены инверсно, как раз могут (или не могут?) подойти для этого дела.
Кус каскада будет примерно одним и тем же что в прямом, что в инверсном включении (в инв. где-то на 15-20% меньше). Напомню, усиление каскада в учебниках (в теории) всегда рассматривается при работе от источника сигнала с нулевым сопротивлением и без нагрузки. Другое дело, из-за малого усиления по току сильно падает входное сопротивление каскада. Поэтому, при работе с реальными источниками (или предшествующими каскадами усиления) Кус ВСЕЙ СХЕМЫ падает по причине бОльшего делителя r_источника/r_вх. Если же перед каскадом стоит повторитель, то усиление приближается к макс. (теоретическому) значению. Это по поводу "катастрофического падения усиления".
DDD, т.е. в вашем случае инверсное включение будет эквивалентно обычному включению, но с низкоомными резисторами смещения, которые и будет грузить предыдущий каскад, снижая общий Кус схемы. Либо, можно рассматривать ситуацию как возврат на полвека назад, когда схемотехника строилась в расчёте на транзисторы с малым Hfe. В этом смысле, это можно назвать и "низкогейновой заменой".
Про шум. Специально не исследовал, но в составе фуза ничего такого криминального не услышал.
Картинка во вложении - результат экспериментов со времён Fuzz War-эпидемии. Юзал 2SC1815GR. Прямой Hfe моих экземпляров был, как помнится, 300-400, инверсный 4...20. На входе стоит ОУ-повторитель для того, чтобы r_вх не влияло на результат. Подстроечником выставляется одно и то же напр. на коллекторе (в данном случае 4,5 В) - это важно для корректного сравнения. Дело в том, что усиление каскада по схеме с заземлённым эм. пропорционально падению на R_коллект. В схеме с ООС (R в эмиттере) зависимость уменьшается, но всё равно имеется.
ПС. Почитайте на досуге книгу
Инверсное включение транзистораППС.
Цитата:Можно ли засимить это дело в симуляторе? (знаю, что нельзя... а вдруг...?)
Только что попробовал - DC и Transient немного похоже на правду (плюс-минус лапоть), AC вообще криво (-1000 dB). Кстати, можно попробовать забить мою схему, и сравнить, если не лень.