В таком случае просто выдёргивать базу не правильно. При измерении обратного тока коллектора, нужно подключать базу на землю.
Если оставить базу в воздухе, значение будет на порядок выше (если не больше) и будет сущетсвенно превышать значение в датащите. Я так уже накололся, почти выбосил горсть очень ценных экземпляров. Благо потом разобрался.

В схеме фуза из поста #54, со светодиодами в цепи ООС второго транзистора, необязательно использовать германиевый транзистор, можно и кремниевый там поставить.

https://yadi.sk/i/6LDMc9TBoWtPF - это картинка из сима. АЧХ Фузфейса с германиевыми транзисторами и моделью звукоснимателя. Низкое входное сопротивление валит резонанс датчика.
Модель транзисторов вроде правильная - на базе первого где-то 200мВ, а не 600 как в упоминавшейся тут статье: http://www.electrosmash.com/fuzz-face

Замечу, что никакого запирания и дикой скважности с этими транзисторами в симе нет - все очень прилично выглядит.
Файл сима в LTSpice: https://app.box.com/s/adpkrjeoopk3od86u7b47d49ryfpsro5
Модель транзистора:

.MODEL GEBJTPNP PNP(IS=120.8N BF=85.000 NF=1.000 VAF=102.207
+IKF=9.981M ISE=0.435N NE=1.200 BR=20.000 NR=1.000 VAR=20.000
+IKR=1.248M ISC=120.8N NC=1.200 RB=173.312 IRB=5.000U RBM=43.328
+RE=20.000 RC=60.000 CJE=6.000P VJE=0.400 MJE=0.400 TF=0.150U
+XTF=9.996 VTF=2.000 ITF=9.983M PTF=1.000 CJC=3.750P
+VJC=0.600 MJC=0.330 XCJC=0.650 TR=2.865U
+CJS=0.0 VJS=0.700 MJS=0.500 XTB=1.000 EG=0.670
+XTI=4.000 KF=5.000F AF=1.000 FC=0.750)
.END

Есть, кстати, хорошая статья с калькулятором расчета резисторов под кремниевые транзисторы:
http://www.geofex.com/Article_Folders/fuzzface/fffram.htm

Вот эти снятые графики.

https://app.box.com/s/lhjvz66zmlbv6hllly30l0ulvr5dbvza
https://app.box.com/s/k76hgk8umy4108arjquvchh37ev0dl4z

Не ахти что, но все-же время трачено. По второй прекрасно можно объяснить работу со смещением обратным током базы.

ЗЫ. В книге "Юный радиолюбитель" для измерения обратного тока коллектора почему-то предлагался этот метод: http://vsegost.com/Catalog/17/17186.shtml

Раздразнили, камрады... Теперь придётся пробовать вживую.
Полагаю, жёлтые светодиоды здесь вряд ли особенно сакральны, но готов употребить именно их.

Перестаньте выяснять отношения.
Каждый должен понимать, что даже открытая конкретным юзером тема не даёт ему право указывать кому и что в ней выкладывать или не выкладывать...вы же не дома на собственную стену схему вешаете. Информация выкладывается в общественном месте на всеобщее обсуждение и естественным образом случаются отколнения от темы, ну для примера тема ФузФейса плавно перешла в обсуждение измерений параметров транзисторов, что собственно неотъемлемая часть построения ФФ.

В добавление к графикам имею сказать.

Что можно высосать из представленных в #65 графиков?
Откроем второй график, в котором почти все действо происходит в 4-м квадранте. Кстати, в справочниках эта тонкость, то есть заход графика тока базы в 4-й квадрант, никак не отражена.

Итак, у транзистора существует обратный ток коллектора. Это постоянный фактор, почти не зависящий от режима работы. Его можно снять с графика как ординату в точке А. В данном примере это 15 мкА. При включении транзистора в схеме ОЭ это тот ток, который втекает в базу транзистора, когда та соединена с эмиттером через нулевое сопротивление.

Если теперь это сопротивление увеличивать, обратный ток создаст на нем падение напряжения, которое будет приложено к переходу Б-Э транзистора, смещая его в прямом направлении. Отличное от нуля напряжение Б-Э вызовет появление прямого тока базы, противоположного по направлению Iko. Ток через базовый резистор, равный алгебраической сумме Iko и Ib, будет уменьшаться.

Тут важно понимать, что суммирование токов происходит в кристалле, а во внешнюю цепь, в резистор, выплескивается уже его результат.
Другим результатом появления прямого тока базы будет появление тока коллектора, равного Вст*Ib.

Возьмем на характеристике какую-нибудь точку М, например с координатами 120мВ и -10мА (почти на кривой, не будем сильно придираться к погрешности расположения). Проведем из начала координат линию через эту точку. Тангенс угла наклона этой линии даст сопротивление Б-Э, необходимое для попадания в данный режим. R= 120мВ/10мА = 12Ком.

Тангенс угла наклона касательной в этой точке даст входное сопротивление транзистора в данном режиме для малого сигнала, примерно 6,5КОм. Разность ординат точек М и А есть прямой ток базы в данном режиме, т.е. 5мкА. Ток коллектора получается умножением 5мкА на Вст, для данного транзистора это было около сотни, следовательно Ic=0,5мА.

При увеличении база-эмиттерного резистора рабочая точка смещается по кривой правее, пока не достигнет предельной точки А. Здесь сопротивление резистора бесконечно велико, ток через него отсутствует, следовательно Ib и Ico численно равны. Это пограничный режим "с оторванной базой", Ib в нем наибольшее из возможных при таком способе базового смещения. Дальнейшего увеличения Ib и Ic можно добиться только с помощью смещения базы от источника питания.

Вот как-то так...

Цитата:

- а обратите внимание на полярность включения диода. Определённо он там не для этого стоит: транзистор-то p-n-p... 

Цитата:

- Именно. Кстати, возьмите горсть разных германиевых диодов и промерьте их проводимость в обратном направлении на разных пределах измерения тестера.
Потратив немного времени, обнаружите очень интересные явления... 

Насколько велик температурный дрейф в данном конкретном случае?
Не преувеличиваем ли мы его значимость?
Если сотня милливольт, то и чёрт бы с ней, а если несколько вольт, то это уже проблема.
Сколько там выходит в реале?